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DRAM厂20纳米大战 产能严重减损或现变化

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发表时间:2019-09-23 11:40

微信截图_20190921190320.png

2015年全球DRAM大厂的20纳米战火正旺,除了早已转进20纳米制程的三星,担忧落后的SK海力士与华亚科也积极投入,两厂都预计于今年开始量产,台DRAM厂南亚科上周也宣告加入这场竞局。然而,DRAM厂制程微缩争相转进20纳米,也让产能严重减损的消息不胫而走,即有台媒报导目前DRAM产出出现停滞现象。


  最先转进20纳米制程的三星,已正式产出LPDDR 4 DRAM,美光旗下的华亚科预计在 2015 年第二季导入20纳米量产,据悉,同样原订第二季导入20纳米量产的SK海力士,因为开发不顺利,可能延至第三季量产,南亚科日前也决定加入这场战局,DRAM大厂的20纳米竞赛逐渐白热化。


  为何DRAM厂积极转进20纳米市场,也许可从Mobile DRAM应用趋势一窥端倪,Mobile DRAM为DRAM最大应用别,目前iPhone 6S与三星所发表高阶旗舰机种相继开始采用 LPDDR4 ,LPDDR4被视为未来Mobile DRAM的主流,华亚科董事长兼南亚科总经理高启全即预估,2018年后所有行动装置都会改用LPDDR4,若要有成本竞争力,势必要用20纳米投片。


  也因此即便外传南亚科就20纳米与东芝、SanDisk、Google 等在20纳米谈策略投资都相继破局下,南亚科也要投入这场战局,上周12日董事会通过投资400亿元、并继续寻求策略投资人入股,宣告投入20纳米制程的竞逐


  制程竞逐下产能的减损


  在厂商制程微缩,纷纷抢进20纳米的情况下,据半导体业者说法,产出也开始吃紧,由于先进制程复杂度提高,机台设备需求大增,旧工厂在空间不足亦无法增添新设备下,相同的无尘室空间,生产的数量却减少,使得DRAM厂虽为扩产,估计减损的产能约在2~3成,产出出现停滞。


  调研机构DRAMeXchange表示,三星旧工厂产能的减损,与Line17新工厂的增产两者相互抵销,2015年投片量将与2014年大致相同;而SK海力士厂房空间大,可移入更多机台维持一样的投片量增加产出,抵销耗损,并不会因转进20纳米而有所减少;华亚科则受限于厂房有限,投片量会减少,但受益于制程微缩下,晶圆切割成单一芯片颗粒数增加,只要良率达到50%,即可以平衡耗损;南亚科为避免产能减损,则宣布在今年盖新的无尘室,让产量维持在6万片不变。


  DRAM厂商也不力图让产量维持稳定,避免让DRAM市场呈现大幅的波动。

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